単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N-DG (4-1319-10)
商品の説明
商品情報
<商品詳細参考ページ>外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/4-1319-10/●事業者向け商品です●マイクロパイプ数:15個/cm2以下(ダミーグレード)●厚み:350±25μm●★入数:1個●オフ角度:(0001)面に対し0°●比抵抗:1×10#5#Ω.cm●その他:1次オリフラ&2次オリフラ有り、Si面:CMP仕上げ、C面:Polish仕上げ
48906円単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N-DG (4-1319-10)DIY、工具その他DIY、業務、産業用品4-1319-05 単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-N-DG 【AXEL】 アズワンAmazon | MTK 単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N-DG 1個 4-1319-10 | 基板
4-1319-05 単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-N-DG 【AXEL】 アズワン
SiCウェーハ|シリコンウェーハのことなら豊港化学
SiC単結晶成長に適用される4H-SiC種結晶
6HSiCウェーハ-XIAMENPOWERWAY
4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性 への影響に関する研究
4-1336-01 単結晶基板 6H-SiC基板 6H-N 両面鏡面 方位 (0001) 10×10
4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性 への影響に関する研究
SiCウェーハ|シリコンウェーハのことなら豊港化学
SICC GLOBAL 株式会社 I SICC 単結晶炭化ケイ素ウェーハ
SICC GLOBAL 株式会社 I SICC 単結晶炭化ケイ素ウェーハ
溶液法による高品質4H-SiC単結晶ウエハの開発
4HNタイプSiC-厦門パワーウェイ
4HNタイプSiC-厦門パワーウェイ
SICC GLOBAL 株式会社 I SICC 単結晶炭化ケイ素ウェーハ
4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造と デバイス特性への影響
溶液法による高品質4H-SiC単結晶ウエハの開発
炭化ケイ素単結晶のSiC結晶と業界標準
SiC サファイア基板 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイア
SICC GLOBAL 株式会社 I SICC 単結晶炭化ケイ素ウェーハ
Amazon.co.jp: シリコンカーバイドウェーハ 4インチ 半絶縁 NGグレード
溶液法による高品質4H-SiC単結晶ウエハの開発
SICC GLOBAL 株式会社 I SICC 単結晶炭化ケイ素ウェーハ
製品情報 | 株式会社サイコックス
窒素・ホウ素コドープ技術を用いた、低コストかつ安定な低抵抗4H-SiC単
ワイドバンドギャップ半導体材料:株式会社 ニューメタルス エンド
溶液法による高品質4H-SiC単結晶ウエハの開発
大口径・高品質SiC単結晶成長のための新規周波数可変型マルチ高周波
製品情報 | 株式会社サイコックス
炭化ケイ素単結晶のSiC結晶と業界標準
D6-P-1 シリコンウエハー 6インチ P型 (100) グローバル・トップ
SICC GLOBAL 株式会社 I SICC 単結晶炭化ケイ素ウェーハ
製造販売-6HSiC・4HSiCウェハ(シリコンカーボナイト)|株式会社トゥー
SiC用語辞典|SiCウエハ・洗浄装置|株式会社MTK | 株式会社MTK
SiC用語辞典|SiCウエハ・洗浄装置|株式会社MTK | 株式会社MTK
窒素・ホウ素コドープ技術を用いた、低コストかつ安定な低抵抗4H-SiC単
4インチGaASウェハ(Dopand:Si Type:N)研究用 25枚入
単結晶SiCウエハ/SiCインゴット | (株)MTK | 製品ナビ
SICC GLOBAL 株式会社 I SICC 単結晶炭化ケイ素ウェーハ
SiC用語辞典|SiCウエハ・洗浄装置|株式会社MTK | 株式会社MTK
商品の情報
メルカリ安心への取り組み
お金は事務局に支払われ、評価後に振り込まれます
出品者
スピード発送
この出品者は平均24時間以内に発送しています